| 专利名称 | 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 | 申请号 | CN200510110783.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1801501 | 公开（授权）日 | 2006.07.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 至采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备 相变存储器单元的方法，具体包括硫系化合物纳米材料的制备 方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一 维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜，制备出硫系 化合物纳米材料，进而再采用纳米加工技术，把硫系化合物纳 米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起，制备出纳米 尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比 较成熟且尺寸可以很小，很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳 米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元， 利用硫系化合物纳米材料截面积可以很小的特征，大大增加电 流密度，提高硫系化合物有效相变区域的热效率，降低操作电 流，减小功耗。 |
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