| 专利名称 | 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 | 申请号 | CN200410101873.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1801458 | 公开（授权）日 | 2006.07.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 谢常青;叶甜春;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/3205(2006.01);G03F7/00(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 专利有效期 | 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 至基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、 纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域， 其工艺步骤如下：1.在自支撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在 薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束曝光、显影；3.将片子放 在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩X射线光刻胶；5. 从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续将片子放在 电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高宽 比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光 刻，一次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚 微米、纳米金属结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。 |
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