| 专利名称 | 一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法 | 申请号 | CN201210107975.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102629073A | 公开（授权）日 | 2012.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;赵泽宇;冯沁;刘凯鹏;王长涛;高平;杨磊磊;刘玲 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法 至一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于表面等离子体光刻的纳米光栅掩模制备方法，其步骤为：在基底上制备光栅阵列结构；在光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层；使用RIE进行各向同性刻蚀，或用腐蚀液对光栅线条进行各向同性湿法腐蚀，控制RIE刻蚀或湿法腐蚀的深度使光栅线条的宽度缩小至预定值；在宽度缩小的光栅线条一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层，然后在宽度缩小的光栅线条另一侧方向进行阴影蒸镀掩蔽层、RIE刻蚀基底、去除掩蔽层。本发明得到的线条数量为原有光栅的四倍，光栅周期缩小为原有光栅周期的四分之一。 |
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