| 专利名称 | 低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法 | 申请号 | CN201210152787.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102637823A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 饶峰;任堃;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法 至低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法，所述限制型电极结构包括：基底，具有金属层及覆盖于金属层上的绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；c-WOx材料，沉积于浅槽结构中并与钨材料上表面相结合，形成底部为c-WOx材料、侧壁为绝缘层的电极槽结构；相变材料，填充于电极槽结构中并与绝缘层的上表面共平面。本发明低功耗相变存储器用限制型电极结构解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。 |
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