| 专利名称 | 穿硅通孔结构及其形成方法 | 申请号 | CN201110036024.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102637656A | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵超;陈大鹏;欧文 | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 穿硅通孔结构及其形成方法 至穿硅通孔结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中沉积填充可刻蚀的导电材料，形成连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行减薄，至暴露出所述连接钉。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，而且可以适用于多种半导体生产线。 |
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