| 专利名称 | 硫锡钡单晶体及其制备和用途 | 申请号 | CN201210128628.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102644116A | 公开（授权）日 | 2012.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 罗中箴;林晨升;程文旦;张炜龙;张浩 | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 专利有效期 | 硫锡钡单晶体及其制备和用途 至硫锡钡单晶体及其制备和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及硫锡钡单晶体及其合成和应用。硫锡钡的分子式为Ba7Sn5S15，分子量为2035.91，属六方晶系，空间群P63cm，单胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。采用密封真空石英管及石墨坩埚高温反应法制备。硫锡钡晶体具有优良的红外非线性光学性能，实验测定其粉末(粒度150-212μm)SHG强度约为相应粒度AgGaS2的2倍；在粒度为45-75μm时，达到AgGaS2的10倍，且满足I类相位匹配。 |
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