| 专利名称 | 静电放电保护用可控硅结构 | 申请号 | CN201120417128.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202384340U | 公开（授权）日 | 2012.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 曾传滨;毕津顺;李多力;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 静电放电保护用可控硅结构 至静电放电保护用可控硅结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种静电放电保护用可控硅结构，包括一第一N型阱、一第二N型阱、一第一P型阱、一第二P型阱、一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区；所述第一N型阱依次通过第二N型阱、第二P型阱与所述第一P型阱相连。本实用新型提供的一种静电放电保护用可控硅结构通过将第二N型阱和第二P型阱制作在减薄的体硅工艺层上，通过减薄第二N型阱和第二P型阱沟道区厚度，并进一步改变可控硅结构第二N型阱和/或第二P型阱沟道区长度，达到改变维持电压的目的。还可以采用此可控硅结构结合串联二极管技术，进一步达到满足各种工作电压对可控硅静电保护结构维持电压的需求。 |
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