| 专利名称 | 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 | 申请号 | CN200410101891.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1797787 | 公开（授权）日 | 2006.07.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L29/812(2006.01) | IPC主分类号 | H01L29/812(2006.01);H01L21/338(2006.01) | 专利有效期 | 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 至改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖 特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底； 一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一 薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制 作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁 移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故 意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制 作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给 层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮 空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝 镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。 |
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