| 专利名称 | Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201010609407.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102101653A | 公开（授权）日 | 2011.06.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 万立骏;王建军;郭玉国 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01L31/0328(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I;C08K3/30(2006.01)I | 专利有效期 | Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用 至Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Cu2ZnSnSe4纳米材料及其制备方法与应用。该方法，包括下述步骤：将含铜化合物、含锌化合物、含锡化合物及油胺混匀后，加热升温至终温保温，同时用惰性气体排除所述反应体系中的氧气和水；在所述混匀步骤之前或所述加热升温步骤中向反应体系中加入含硒化合物的溶液，反应完毕后得到所述Cu2ZnSnSe4纳米材料。本发明利用常规的反应物可制备出均匀的Cu2ZnSnSe4纳米材料，而且利用制备的Cu2ZnSnSe4纳米材料和P3HT制备的复合材料表现出优异的光电性能。 |
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