| 专利名称 | 一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法 | 申请号 | CN200510111477.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1793874 | 公开（授权）日 | 2006.06.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆卫;李天信;李志锋;邵军;陈平平;李宁;张波;陈效双 | 主分类号 | G01N23/227(2006.01) | IPC主分类号 | G01N23/227(2006.01);G01N13/00(2006.01);G01N1/28(2006.01) | 专利有效期 | 一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法 至一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性 能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、 透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微 系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电 极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在 对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学 特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为 高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区 域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比 性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检 测。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障