| 专利名称 | 一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法 | 申请号 | CN200510110067.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1794362 | 公开（授权）日 | 2006.06.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 吴历斌;刘敏玲;黄富强;陈立东 | 主分类号 | H01B1/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01B1/00(2006.01);H01B1/08(2006.01);H01B13/00(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/18(2006.01);B01J19/00(2006.01);C30B29/22(2006.01) | 专利有效期 | 一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法 至一种用于p型透明导体的层状材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种可用于p型透明导体的层状结构 化合物及其制备方法。本发明提供的材料组成为 La5Cu6O4S7，具体地说，本发明是利用后过渡金属铜的外层电子 能级与硫的3p轨道能级接近，形成强相互作用的[CuS]层，提 高电荷迁移率达到改善导电性；同时，利用宽能隙的[LaO]层 掺入上述的[CuS]层间适当改善其透明度。室温条件下，该材 料的本征导电率可以达到 104S/cm(单晶)和 101S/cm(多晶)；800K以下，本发 明材料可应用于p型透明导体及相关应用。本发明的设计思路 独特，制备工艺简单，导电性能与n型透明导体接近并具有可 见光区一定的透明度。 |
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