| 专利名称 | 一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法 | 申请号 | CN200510110784.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1793439 | 公开（授权）日 | 2006.06.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 任国浩;裴钰;陈晓峰;李中波;陆晟;沈勇 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01) | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01);C30B29/12(2006.01) | 专利有效期 | 一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法 至一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化 镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的 LaCl3原料，并在保持流动的惰 性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水 氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、 氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了 含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采 用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以 可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、 成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈 掺杂氯化镧(Ce∶LaCl3)晶体适 用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核 辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。 |
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