| 专利名称 | 一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 | 申请号 | CN200910187296.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102020262A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 成会明;任文才;刘碧录;高力波;李世胜 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 至一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术，具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法，适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体，在600～1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。其中，碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔、苯、甲苯、环己烷等碳氢化合物或乙醇、甲醇、丙酮、一氧化碳等，载气为氢气或氢气与氩气、氦气等惰性气体的混合气。本发明提出以离子溅射方法得到的SiO2镀膜为催化剂前驱体，高效生长不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管，具有操作简便、成本低、与易于在硅基体上定位生长和图案化生长单壁纳米碳管的特点，对要求无金属杂质的单壁纳米碳管的应用奠定了基础。 |
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