| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN200910092514.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102024744A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种双接触孔形成方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成源极/漏极区域和替代栅结构，替代栅结构包括多晶硅栅；沉积第一层间介电层；对第一层间介电层进行平坦化处理，以暴露出替代栅结构中的多晶硅栅；去除多晶硅栅，并沉积形成金属栅；在第一层间介电层中刻蚀出第一源/漏区接触孔开口；在第一源/漏区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第一源/漏区接触孔；在第一层间介电层上沉积第二层间介电层；在第二层间介电层中刻蚀出第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口；以及在第二源/漏区接触孔开口和栅区接触孔开口中顺序沉积衬里和填充导电金属，以形成第二源/漏区接触孔和栅区接触孔。本发明还提出了一种通过上述工艺制造的半导体器件。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障