| 专利名称 | 铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法 | 申请号 | CN200910195565.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102021651A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 丁栋舟;杨帆;任国浩;潘尚可;张卫东;陈晓峰 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法 至铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及晶体领域，具体涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其坩埚下降法制备方法。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的化学式为：Li6Gd1-x-yYxCey(BO3)3，其中x的取值范围为0～0.9999，y的取值范围为0.0001～0.1。本发明的铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体通过以电负性及离子半径相近，而原子序数相对更小的元素Y来部分置换Gd元素，优化了硼酸钆锂晶体对于中子的探测性能，并降低了晶体制备的原料成本。本发明的下降法制备具有工艺设备简单，操作方便，能耗低，生长效率高、成本低可实现工业化生产等特点。 |
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