| 专利名称 | 硅基半导体的拉曼散射增强基底及其制法和应用 | 申请号 | CN201010526155.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102020231A | 公开（授权）日 | 2011.04.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;王晓天;穆丽璇;佘广为 | 主分类号 | B81B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;G01N21/65(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基半导体的拉曼散射增强基底及其制法和应用 至硅基半导体的拉曼散射增强基底及其制法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及具有良好生物兼容性的硅基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法，以及用这种基底进行溶液中罗丹明6G分子和4-氨基硫酚分子的检测。本发明用化学刻蚀的方法，在单晶硅基片表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列；然后除去在刻蚀过程中作为副产物生成在硅纳米线阵列顶端的絮状银枝杈，并在硅纳米线表面修饰上大量的Si-H键。所述的硅基半导体的拉曼散射增强基底是由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳米线阵列构成，且所述的基底中不含有贵金属银；所述的硅纳米线表面修饰有Si-H键。首次成功地实现了不使用任何贵金属而仅用半导体硅材料制备出了具有良好生物兼容性的硅基半导体的拉曼散射增强基底。 |
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