| 专利名称 | 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法 | 申请号 | CN200510111361.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1786690 | 公开（授权）日 | 2006.06.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 | 发明（设计）人 | 陆卫;夏长生;李志锋;张波;李宁;陈效双;陈明法 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01) | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01);G01N25/00(2006.01);G01N27/00(2006.01);G01N33/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法 至一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方 法，包括：1.在很低注入电流下，通过控制其周围温度获得发 光峰位随结温的变化关系；2.在一定注入电流下，测量其在不 同温度下发光峰位的变化关系，从中得出高温下发光峰位的变 化关系，并外推至坐标轴，得到去除电流屏蔽效应后，在某一 温度下的发光峰位；3.将此发光峰位数值代入从1得到的结温 与发光峰位的关系判断在此注入电流及温度下发光二极管PN 结区的温度。本发明可在很小的误差范围内表征在不同注入电 流及温度下GaN基半导体发光二极管PN结区的实际温度，有 利于GaN基半导体发光二极管的性能表征和优化研究。 |
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