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专利名称

一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法

申请号

CN200510030857.9

专利类型

发明专利

公开（公告）号

CN1785896

公开（授权）日

2006.06.14

申请（专利权）人

中国科学院上海硅酸盐研究所

发明（设计）人

张文斌;张仲猷;董显林

主分类号

C04B35/462(2006.01)

IPC主分类号

C04B35/462(2006.01);C04B35/49(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01L41/187(2006.01)

专利有效期

一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法至一种细晶、高介电常数压电陶瓷材料及其制备方法

法律状态

实质审查的生效

说明书摘要

本发明涉及一种晶粒细小、高介电常数的压电陶瓷材料及其制备方法，所述材料的配方组成为： Pb_1－
mSr_m (Mg_1/3Nb_{2/3)_xTi_yZrz}O₃＋ awt. ％NiO+bwt.％SiO₂＋cwt.％ La₂O_{3＋dwt.％
Sm₂O_{3，其中，m＝0.05～0.15；x＝0.25～0.4；y＝0.3～0.40；z
＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.1～0.5；b＝0.1～0.3；c＝0～0.3；
d＝0～0.3。所述材料的介电常数ε＞6000、压电系数
d₃₃～850pC/N、机械品质因数
Q_m＝40～60，晶粒尺寸为1～4
μm。制备工艺为：配料混合、压块合成；粉碎细磨、干压成
型、排塑、通氧烧结、切割加工、上电极、性能测试。有望在
超声换能器、特别是医疗超声成像检测领域具有广阔的应用前
景。}}

01、选取所需专利
02、确认专利可交易
03、签订合同
04、上报材料
05、确认变更成功
06、支付尾款
07、交付证书

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专利证书原件

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专利证书原件

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