| 专利名称 | 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 | 申请号 | CN201110206038.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102244007A | 公开（授权）日 | 2011.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 至运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底1上生长二氧化硅层；步骤2：采用传统光刻和RIE方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：采用KOH湿法刻蚀在沟槽的硅衬底上形成V形沟槽；步骤4：分别用piranha、SC2、HF和去离子水，清洗沟槽底部衬底的V形沟槽；步骤5：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内生长GaAs缓冲层，然后在沟槽内的GaAs缓冲层上生长GaAs顶层；步骤6：采用化学机械抛光的方法，将超出沟槽的GaAs顶层抛光，抛光至与二氧化硅层齐平，完成材料的制备。 |
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