| 专利名称 | 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 | 申请号 | CN200410009922.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1783512 | 公开（授权）日 | 2006.06.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王翠梅;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01) | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 专利有效期 | 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 至提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的 结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻半 绝缘氮化镓缓冲层，该高阻半绝缘氮化镓缓冲层制作在衬底 上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作 在高阻半绝缘氮化镓缓冲层上；一薄层氮化铝插入层，该薄层 氮化铝插入层制作在高迁移率氮化镓沟道层上，该薄层氮化铝 插入层可以提高氮化镓基高电子迁移率晶体管材料的综合性 能；一n型掺杂或非故意掺杂铝镓氮势垒层，该n型掺杂或非 故意掺杂铝镓氮势垒层制作在薄层氮化铝插入层上。 |
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