| 专利名称 | 超临界二氧化碳涂胶系统 | 申请号 | CN200920313385.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201569851U | 公开（授权）日 | 2010.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王磊;景玉鹏 | 主分类号 | G03F7/16(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/16(2006.01)I | 专利有效期 | 超临界二氧化碳涂胶系统 至超临界二氧化碳涂胶系统 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种超临界二氧化碳涂胶系统，属于半导体技术领域。所述系统包括：储料装置，至少包括容纳二氧化碳的第一存储罐和容纳光刻胶的第二存储罐；超临界二氧化碳涂胶腔，包括腔体；喷射二氧化碳和光刻胶的喷头，喷头位于腔体内，并通过控制二氧化碳和光刻胶喷射的泵连通至腔体外的储料装置；以及支承硅片的支架，支架位于腔体内且位于喷头下方；分别与腔体连通的温度控制装置和压力检测装置。利用本系统，能够形成厚度均匀、附着力强的薄膜，并且工艺简化、设备和环境要求不高；同时，使用的超临界二氧化碳化学稳定性好，表面张力几乎为零，且对环境无污染。 |
1、源头对接，价格透明
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