| 专利名称 | 高速无等离子体硅刻蚀系统 | 申请号 | CN200920313341.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201567390U | 公开（授权）日 | 2010.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 景玉鹏;王磊 | 主分类号 | C30B33/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/12(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 专利有效期 | 高速无等离子体硅刻蚀系统 至高速无等离子体硅刻蚀系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种高速无等离子体硅刻蚀系统，属于半导体技术领域。该系统包括：容纳刻蚀材料的供料装置；与供料装置连接的刻蚀腔；刻蚀腔包括：腔体；角度可调整的喷嘴，喷嘴固定于腔体内的一侧；支承待刻蚀硅片的支架，支架固定于腔体内，并且位于喷嘴相对的另一侧；掩蔽板，掩蔽板位于喷嘴与支架之间，固定于腔体内壁，在掩蔽板上与喷嘴对应的位置形成有供刻蚀材料穿过的孔或缝。利用本实用新型，可以解决目前的刻蚀技术中刻蚀选择比差、速率低等问题，能够提高刻蚀速率和刻蚀选择比，并且提高系统的安全性。 |
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