| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN200910237544.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064175A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;尹海洲 | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括：衬底；形成在衬底中的源区和漏区，以及形成在衬底上的栅区，其中，源区和漏区之上分别具有第一接触孔区，第一接触孔区通过第一金属与源区和漏区相连，第一接触孔区之下的第一金属至少有一部分高于第一接触孔区外的第一金属，栅区之上具有第二接触孔区，第二接触孔区通过第二金属与栅区相连，第二接触孔区之下的第二金属或多晶硅至少有一部分高于第二接触孔区外的第二金属或多晶硅。通过本发明，由于源区、漏区和栅区等各个接触孔都采用自对准技术，能够有效缩小半导体结构的面积，从而提高集成电路的集成度，通过本发明可缩小5-20％的芯片面积。 |
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