| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN200910237546.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064176A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰;王晓磊;韩锴;陈大鹏 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第一区域上的属于pMOS器件的第一栅极结构；在所述第二区域上的属于nMOS器件的第二栅极结构；在所述第一栅极结构的侧壁的多层第一侧墙，其中所述多层第一侧墙中邻接所述第一栅极结构的层为氧化物层；在所述第二栅极结构的侧壁的多层第二侧墙，其中所述多层第二侧墙中邻接所述第二栅极结构的层为氮化物层。应用本发明不仅可以降低pMOS器件中高k栅介质中的氧空位缺陷，而且还可以避免高温热处理过程中nMOS器件的EOT增大的问题，从而可以有效地提高高k栅介质CMOS器件的整体性能。 |
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