| 专利名称 | 一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010571961.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102064204A | 公开（授权）日 | 2011.05.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;李德增 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法 至一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及为一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法。属光学薄膜材料领域。本发明采用溶胶-凝胶技术，形成纳米薄膜-纳米球复合折射率梯度结构。此结构是在纳米薄膜上面制备一层纳米球阵列结构，或是将纳米球分散在前驱溶胶中，最终制备复合薄膜。所述的SiO2纳米薄膜的厚度控制在20-2500nm范围，SiO2纳米球的直径控制在15-500nm范围。所述的SiO2纳米薄膜折射率介于1.15-1.50之间。在本发明获得的宽带减反增透结构，在透明光电、热电转换和光学仪器等领域具有广泛的应用前景。 |
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