| 专利名称 | 一种超导本征结的制备方法 | 申请号 | CN201010143759.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101820046A | 公开（授权）日 | 2010.09.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 尤立星;王兴 | 主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超导本征结的制备方法 至一种超导本征结的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种本征结的制备方法，包括：(1)高温超导单晶生长；(2)剥离并固定超薄单晶于基片上；(3)超薄单晶选择及厚度确定；(4)本征结制备；其中，步骤(2)中，通过多次剥离BSCCO单晶薄片，将肉眼看不到的单晶碎片吸附于基片表面。步骤(3)根据需要选择合适大小和厚度的单晶用于本征结制备。本发明的优点是：(1)采用了超薄的单晶，厚度远小于材料的穿透深度，从而可以有效的吸收被探测信号。同时薄超导单晶有助于本征结和基片之间的热扩散；(2)制备过程没有采用胶固定工艺，有助于超导材料和基片之间的热扩散；(3)单晶表面和基片之间的高度差仅为单晶本身厚度，从几十到几百纳米，和薄膜厚度相当。 |
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