| 专利名称 | 可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法 | 申请号 | CN200510029985.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1779923 | 公开（授权）日 | 2006.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 褚君浩;张晓东;孟祥建;孙璟兰;林铁 | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L21/3105(2006.01);C23C14/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/58(2006.01) | 专利有效期 | 可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法 至可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电簿膜材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可与读出电路集成的锆钛酸 铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是通过低温原位磁控溅射 生长，然后，进行高压低温处理而实现的。本发明方法的最大 优点是：在400℃的低温下，可以得到高度(100)取向的纯钙钛 矿相PZT薄膜，并具有很好的铁电性；重复性好，整个制备和 处理温度在450℃以下，能直接沉积在读出电路上，和铁电微 器件的单片集成工艺相兼容。 |
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