| 专利名称 | 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN200510030637.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1780012 | 公开（授权）日 | 2006.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;马友鹏;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 至一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的 制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上， 先生长一层SiO2，然后在上面沉 积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点， 最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的 纳米点。接着沉积一层SiO2，用 CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见 图8。施加脉冲信号，并测量其I－V特性，电阻率有较大的变 化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提 供了一种新的方法。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障