| 专利名称 | 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 | 申请号 | CN201010220360.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101944505A | 公开（授权）日 | 2011.01.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 程新红;王中健;俞跃辉;何大伟;徐大伟;夏超 | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 专利有效期 | 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 至具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法，首先在SOI基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽，再在凹陷区填充氧化物，并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化，使相对于所述隔离沟槽部位的残余顶层硅部分全部被氧化，接着再将隔离沟槽填充满氧化物，随后进行掺杂、淀积在内的一系列处理后分别形成作为高压功率器件和低压器件漏极、源极和栅极的P型区域、N型区域以及栅极区域，随后再淀积一氧化层，使得处于SOI基板的顶层硅两侧的氧化物的厚度接近一致，以形成对称结构，最后再生成分别与各P型区域、N型区域及栅极区域相接触的各金属子区域，由此可形成耐700V以上高压的多器件芯片。 |
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