| 专利名称 | 铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法 | 申请号 | CN200510105784.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1780045 | 公开（授权）日 | 2006.05.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张雪强;孟庆端;李翡;孙亮;黄建冬;张强;何豫生;李春光;何艾生;黎红 | 主分类号 | H01P1/18(2006.01) | IPC主分类号 | H01P1/18(2006.01);H03H11/16(2006.01);H03H17/08(2006.01);H03H9/66(2006.01) | 专利有效期 | 铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法 至铁电薄膜移相器及检测与优化其反射特性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种铁电薄膜移相器，为在共面线 上双周期性地装载铁电可调电容，共面线包括一条传输线和两 个位于传输线两侧的接地面，接地面和传输线共同附着在基片 的同一平面上，接地面与传输线之间是等宽度的缝；本发明还 公开了一种检测与优化铁电薄膜移相器反射特性的方法，将相 邻两段传输线的长度固定，改变装载可调电容的位置，通过计 算机仿真查看这种结构的反射及传输特性曲线，调整装载铁电 可调电容的位置，利用仿真得出的反射频率响应曲线，比较判 断出具有反射损耗比较小且工作带宽又比合适的最终结构。本 发明可以增加移相器的工作频率带宽，在较高的频率范围内， 有利于提高器件的品质因子。 |
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