| 专利名称 | 一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法 | 申请号 | CN201010121649.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101799640A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈红丽;邢廷文;廖志杰;林妩媚 | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法 至一种确定光刻机最佳焦面位置的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种确定光刻机最佳焦面位置的测量装置以及方法，所述装置包括照明光源系统、投影物镜成像系统、用于支撑并固定掩模板的掩模台、用于支撑并固定晶片的工作台、波像差传感器以及用于精确定位的干涉仪。所述方法推导了离焦和其他偶像差的转换关系，并用波像差传感器检测不同离焦位置时光学成像系统的波像差，根据测量结果计算可得光刻机光学系统最佳焦面位置。通过本发明的测量装置和方法，可以测量光刻机最佳焦面。 |
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