| 专利名称 | 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法 | 申请号 | CN200510110630.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1776442 | 公开（授权）日 | 2006.05.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 | 发明（设计）人 | 陆卫;夏长生;李志锋;李宁;王少伟;张波;陈平平;陈效双;陈明法 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01) | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01);G01M11/02(2006.01);G01J3/00(2006.01);G01J1/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 专利有效期 | 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法 至一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种检测氮化镓基半导体发光二 极管质量优劣的方法。它是根据GaN基半导体发光二极管中 存在的压电效应和InN类量子点结构，通过测量在不同注入电 流下，发光峰位的蓝移量来判断发光二极管性能的优劣。在相 同注入电流下，如果发光峰位蓝移量越大，电流的注入效率就 越高，电流在芯片、电极、支架、引线等器件各个部分上的损 失就越小。这就说明制造发光二极管的各个工艺过程，如材料 生长、电极加工、封装控制的比较好，产品的质量相对就比较 高。本发明具有操作简单，易于批量使用的特点。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
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