| 专利名称 | 酞菁化合物及有机薄膜晶体管 | 申请号 | CN201010520550.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102002047A | 公开（授权）日 | 2011.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 耿延候;田洪坤;董少强 | 主分类号 | C07D487/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D487/22(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 专利有效期 | 酞菁化合物及有机薄膜晶体管 至酞菁化合物及有机薄膜晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种酞菁化合物及有机薄膜晶体管，本发明向酞菁核周边的四个苯环上各引入一个烷基起到改善溶解性的作用；并且，四个烷基位于非外围位置，可以将烷基对酞菁核在薄膜中的排列方式的影响降到最低，以实现高的场效应迁移率；此外，中心配体金属原子钛或钒能够调节四烷基取代酞菁的电子结构，烷基、中心配体金属原子的协同效应调控四烷基取代酞菁薄膜的堆积方式，使有机薄膜晶体管的半导体层中酞菁分子的刚性平面垂直于基板排列。本发明提供的酞菁化合物丰富了酞菁化合物的种类，并获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。实验结果表明，本发明提供的有机薄膜晶体管中的半导体层的载流子迁移率达到0.2cm2/V·s。 |
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