| 专利名称 | 碳纳米材料合成装置及方法 | 申请号 | CN201010592147.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102001646A | 公开（授权）日 | 2011.04.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所 | 发明（设计）人 | 董金泉;孙宝云;赵宇亮 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 碳纳米材料合成装置及方法 至碳纳米材料合成装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碳纳米材料合成装置及方法，用于电弧法合成碳纳米材料，碳纳米材料合成装置包括加装器、活化器和合成炉；加装器与活化器间通过具有阀门的第一通道连接，活化器与合成炉间通过具有阀门的第二通道连接；加装器具有容置空间与第一输送装置，以同时容置多根碳棒，并向活化器逐一输送碳棒；活化器具有两电极及第二输送装置，两电极相对内侧的承载部将碳棒承载于两电极之间进行活化；通过第二通道向合成炉逐一输送活化后的碳棒；合成炉设置有能够相对靠近与远离的阳极管道与阴极，阳极管道支撑碳棒一端以使伸出阳极管道的碳棒作为阳极与阴极接触进行放电合成。本发明解决了现有技术的效率低、成本高及生产规模小的技术问题。 |
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