| 专利名称 | 降低HDPCVD缺陷的方法 | 申请号 | CN201110187767.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867773A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 降低HDPCVD缺陷的方法 至降低HDPCVD缺陷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种降低HDPCVD缺陷的方法，采用原位刻蚀、远程等离子体刻蚀和低压远程等离子体刻蚀相结合的清洗工艺清除HDPCVD设备沉积过程中或沉积后腔体上残余的沉积薄膜颗粒，以免缺陷掉落在正在沉积的沟槽中，造成孔洞问题；该方法还可以除去由腔体中剩余的颗粒在沉积后掉落在晶圆上而形成大的难以去除的表面缺陷。 |
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