| 专利名称 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 | 申请号 | CN201210255688.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790071A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 田超;梁静秋;梁中翥;王维彪 | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 专利有效期 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 至一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，包括N型衬底层，用来支撑所述微显示器件；多个发光单元，设置在所述N型衬底层上方，被多条相互交叉的沟槽分隔开；所述沟槽中填有不透明光阑；每个发光单元的下台面设有下电极，顶部设有上电极。本发明的单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以得到较为均匀的电流分布。 |
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