| 专利名称 | 多层膜器件真空沉积装置 | 申请号 | CN201210370067.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102877026A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘星元;林杰;李会斌 | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/22(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 专利有效期 | 多层膜器件真空沉积装置 至多层膜器件真空沉积装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明多层膜器件真空沉积装置属于真空技术领域，目的在于解决现有技术中设备复杂、成本高、蒸发源浪费的问题。包括主挡板、主掩膜板、主衬底板以及一个真空室；所述主挡板、主掩膜板以及主衬底板位于所述真空室内；所述主衬底板、主掩膜板及主挡板自上而下同轴安放，所述真空室下部有沉积源、屏蔽板、以及磁控溅射靶，所述主衬底板上安装有烘烤装置；通过旋转所述主衬底板、主掩膜板以及主挡板来更换沉积材料。通过多次定位不同的掩膜框、衬底架、主挡板及沉积源实现多层膜器件在一个真空室内沉积形成，缩小了设备的体积，避免多个真空室之间传递带来的不变；采用衬底在沉积源正上方的方式，减少了蒸发材料的损耗，增加膜层的均匀性。 |
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