| 专利名称 | 一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器 | 申请号 | CN200910113608.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101786861A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 张惠敏;常爱民;王伟 | 主分类号 | C04B35/01(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/01(2006.01)I;H01C7/04(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器 至一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，该电阻是由原料镧、铬、铝、硅的氧化物和原料锰、镍、铬、锆的氧化物分别进行研磨，煅烧，制得颗粒大小均匀，分散性好的单一相材料，再经双相混合，研磨，高温烧结，封装，即可得到高电阻、低B值负温度系数热敏电阻器，其参数为R0℃＝12kΩ±2％，B值为2050K±3％。本发明具有制备工艺简单，操作方便和质量稳定的优点，可在较宽温区内进行测温、控温及线路补偿，与共沉淀法相比大大降低了元件的生产成本，同时节约能源、生产效率显著提高。 |
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