| 专利名称 | 一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法 | 申请号 | CN201110139977.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102795855A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 周延春;孙鲁超;王京阳;王杰民 | 主分类号 | C04B35/505(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/505(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法 至一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。本发明提供了一种利用微波法制备Y4Si2O7N2粉体材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)，氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)为原料，采用微波法来制备Y4Si2O7N2粉体材料，原料的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。这种方法工艺简单，成本低廉且可操作性强，能够在较低的温度，较短的保温时间内获得单相纯净的钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体材料。 |
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