| 专利名称 | 一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法 | 申请号 | CN201110140006.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102795856A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 周延春;孙鲁超;王京阳 | 主分类号 | C04B35/505(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/505(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法 至一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于高温功能/结构陶瓷领域，更具体地说，是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料，原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)，采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7N2材料。本发明可以在较低温度下，较短的时间内制备得到高纯度钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷粉体或者块体材料，所制备出的Y4Si2O7N2陶瓷块体材料具有高熔点、低密度、低热导率等特点，是优良的隔热高温陶瓷材料。 |
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