| 专利名称 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 申请号 | CN201210279639.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102801107A | 公开（授权）日 | 2012.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 宁永强;张祥伟;秦莉;刘云;王立军 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 至一种垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，垂直腔面发射激光器包括n面电极、GaAs衬底、缓冲层、n型DBR层、氧化限制层、有源区、钝化层、p型DBR层、欧姆接触层。本发明的垂直腔面发射激光器及其制作方法，通过把氧化限制层通过一定工艺来把圆形的氧化层氧化成非圆形，以此来打破电流的各向同性注入，通过引入各向异性的电流注入到有源区来实现两个相互正交的偏振光的偏振控制。另外，本发明的垂直腔面发射激光器结构制造工艺简捷、重复性好，容易推广。 |
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