氮化镓基光子晶体激光二极管

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专利名称 氮化镓基光子晶体激光二极管 申请号 CN200510110629.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1776976 公开(授权)日 2006.05.24 申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所;上海蓝宝光电材料有限公司 发明(设计)人 陆卫;王少伟;夏长生;李宁;李志锋;张波;陈平平;陈效双;陈明法 主分类号 H01S5/00(2006.01) IPC主分类号 H01S5/00(2006.01);H01S5/10(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01) 专利有效期 氮化镓基光子晶体激光二极管 至氮化镓基光子晶体激光二极管 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种氮化镓基光子晶体激光二极 管,该激光二极管由在衬底上周期分布的二维光子晶体光学微 腔构成。它的优点是:由于微腔采用光子晶体结构设计,形成 一系列三维受限的微腔,在平面内两个维度方向都受到光子晶 体结构的强烈限制,因此光会从这些微腔的垂直方向上发射出 来。由于这种结构的激光只从各个微腔区域发出,占材料的总 面积小,微腔中含有缺陷的几率明显下降,而微腔区域之外的 光子晶体结构虽然含有缺陷,但对整个器件的发光性能基本没 影响,从而明显降低器件对材料晶体质量的要求,尤其是缺陷 密度。

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