专利名称 | 一种低温烧结Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷粉体及其制备 | 申请号 | CN201010116089.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101805183A | 公开(授权)日 | 2010.08.18 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 曾江涛;李国荣;郑嘹赢;殷庆瑞 | 主分类号 | C04B35/493(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/493(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低温烧结Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷粉体及其制备 至一种低温烧结Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷粉体及其制备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于一种新型无机材料的制备及工艺研究领域,具体涉及一种高性能压电陶瓷的低温烧结配方及其工艺。本发明通过添加组合烧结助剂Ba(Cu0.5W0.5)O3、LiBiO2及CuO,采用普通固相合成法制备Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷,使其能在低至950℃下烧结成瓷,并且具有优良的铁电压电性能。技术方案的要点是:首先采用Pb3O4、NiO、Nb2O5、TiO2、ZrO2合成Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷粉体,然后加入Ba(Cu0.5W0.5)O3、LiBiO2与CuO,在不同温度下烧结成瓷。通过添加组合低熔点烧结助剂,陶瓷的烧结温度能够降低至950℃,同时使低温烧结陶瓷的性能提高。 |
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