| 专利名称 | 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 | 申请号 | CN201010126863.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101805131A | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高彦峰;张宗涛;杜靖;康利涛;罗宏杰 | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 至一种二氧化钒薄膜的低温制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于化学功能材料领域，涉及一种二氧化钒薄膜的低温制备方法及应用。该制备方法采用低毒性的乙酰丙酮氧钒为反应物，在250℃-750℃，控制烧结气氛条件下获得具有相变特性的二氧化钒薄膜。该薄膜的相变温度可调整至室温附近。该方法耗能少、制备工艺简单、安全性好、获得的二氧化钒薄膜烧结温度低，适合于大规模的工业化生产。 |
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