| 专利名称 | 下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法 | 申请号 | CN201210322557.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102828230A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 倪海洪;王绍华;周里华;刘光煜;陈俊锋;赵鹏;袁兰英;宋桂兰;齐雪君;张健 | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I | 专利有效期 | 下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法 至下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和合适的纵向温度梯度，制备出宽板状、高质量的锗酸铋无机闪烁晶体。 |
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