| 专利名称 | 相变存储器的数据读出电路 | 申请号 | CN201110151742.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820056A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李喜;陈后鹏;宋志棠;蔡道林 | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器的数据读出电路 至相变存储器的数据读出电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出数据包括：箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；预充电电路，在箔位电压的控制下对位线进行快速充电；箔位电流产生电路，在箔位电压的控制下产生使位线维持在箔位平衡态时的箔位电流；箔位电流运算电路，将箔位电流进行求差和倍乘运算，增大高阻态时箔位电流和低阻态时箔位电流的差值；比较放大电路，将经过运算处理后的箔位电流与参考电流比较，输出读出结果。相比于现有技术，本发明的相变存储器的数据读出电路能有效地提高数据的读出速度、减小高低阻间的误读窗口、减小数据读出时的串扰、提高读出数据的可靠性。 |
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