| 专利名称 | 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法 | 申请号 | CN200410088513.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1770453 | 公开（授权）日 | 2006.05.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞 | 主分类号 | H01L27/088(2006.01) | IPC主分类号 | H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8232(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 专利有效期 | 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法 至一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种鱼脊形场效应晶体管的结构和制备方法，步 骤为：在原始硅片上形成低掺杂的P阱与N阱；近似全平面的 凹陷局部场氧化隔离，形成有源区；淀积氧化层/氮化硅/氧化 层多层绝缘层用于栅电极与衬底的隔离；在多层绝缘介质层上 光刻、干法刻蚀出凹槽结构；在与凹槽的垂直的方向上光刻硅 岛图形，然后干法刻蚀掉凹槽中剩余的绝缘介质，再干法刻蚀 硅衬底形成硅岛；淀积氧化硅和氮化硅，再各向异性刻蚀形成 氮化硅侧墙；三维薄栅氧化并淀积栅电极材料；光刻和刻蚀源 漏区上的多晶硅和介质至硅衬底表面；源漏注入掺杂并快速热 退火激活；淀积和刻蚀形成二氧化硅源漏侧墙；自对准硅化物； 硼磷硅玻璃覆盖隔离，光刻与干法刻蚀接触孔，并多层金属化。 |
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