| 专利名称 | 低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法 | 申请号 | CN200510029084.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1766158 | 公开（授权）日 | 2006.05.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 褚君浩;张晓东;孟祥建;孙璟兰;林铁 | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) | IPC主分类号 | C23C14/34(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/58(2006.01) | 专利有效期 | 低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法 至低电阻率金属氧化物镍酸镧的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧 薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸 镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的 导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻 率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工 作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、 成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路 的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材 料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。 |
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