| 专利名称 | 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 | 申请号 | CN200510029744.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1763271 | 公开（授权）日 | 2006.04.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 严东生;殷之文;廖晶莹;沈炳孚;童乃志;邵培发;袁晖;谢建军;叶崇志;周乐萍;李培俊;吴泓澍;杨培志;倪海洪;刘光煜 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01);C30B11/00(2006.01) | 专利有效期 | 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 至阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴 阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备 方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服 阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问 题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂 PWO晶体。本发明采用PbF2和 Y2O3或BaF2和 Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－ 300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂 剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而 异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅 晶体，适于大批量生产。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障