| 专利名称 | 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN200410081010.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1755954 | 公开（授权）日 | 2006.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马龙;王良臣;王立彬;郭金霞;伊晓燕 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01) | 专利有效期 | 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 至背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法， 包括：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长N型氮化镓层，多 量子阱发光有源区和P型氮化镓层；光刻刻蚀到N型氮化镓层 内，制备P型欧姆接触电极和N型欧姆接触电极；划片将外延 片上的管芯分割成单个管芯；在硅片上双面生成二氧化硅绝缘 隔离层，在正面制备金属电极，背面光刻出背孔图形；形成背 孔；在硅片正面采用厚胶光刻电镀凸点图形；在硅片背面制备 一层低熔点的合金，形成管座；在管座背面直接与管壳热沉相 接；将管芯和管座正面通过金属凸点焊接起来，从硅片正面制 作的金属电极上引出发光二极管的N电极，从管壳热沉的背面 引出发光二极管的P电极。 |
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